新闻|Weekly News

来源:本站   作者:letry    发布时间: 2022-08-05 14:42:50   浏览:

1.国博电子科创板上市

7月22日，国博电子在上海证券交易所科创板上市，发行价格70.88元/股，发行市盈率为80.78倍。

国博电子成立于2000年，主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售，产品主要包括有源相控阵T/R组件、砷化镓基站射频集成电路等，覆盖军用与民用领域。

根据公告，2018年至2021年6月30日，公司实现营收分别为17.24亿元、22.25亿元、22.12亿元、11.32亿元，归属于母公司所有者的净利润2.52亿元、3.67亿元、3.08亿元、1.93亿元。主营业务毛利率分别为29.12%、32.69%、29.77%、36.94%。

本次IPO，国博电子公开发行4001.00万股，募集资金283590.88万元，其中14.75亿元投入射频芯片和组件产业化项目，剩余12亿元用于补充流动资金。

（来源：JSSIA整理）

2.大普微自研主控芯片企业级SSD规模出货

近期，国内头SSD存储厂商深圳大普微电子（DapuStor）PCIe Gen4企业级SSD产品获得北美知名国际互联网/云计算巨头和国内电信运营商、行业客户等为代表的批量订单。

大普微**款自研的PCIe Gen4主控芯片在2020年下半年实现芯片一次流片成功，相应开发的固件与SSD产品也经过了一年多的各类客户严格测试与验证，并于2022年4月转入正式量产。

DPU600采用先进的12nm制程工艺，支持超高性能、大容量企业级SSD；支持PCIe Gen4双端口，拥有16个通道和支持标准的NVMe（NVM Express）接口，针对高性能4K随机读写操作以及所有on-chip闪存管理操作进行了优化。

基于自研主控芯片，大普微PCIe Gen4企业级SSD适用于云计算、运营商、互联网、金融、能源石化、电力、企业数据中心等高端数据存储场景。

深圳大普微电子科技有限公司成立于2016年，是国内一家SSD主控芯片设计和智能企业级SSD定制厂商。

（来源：JSSIA整理）

3.三星电子在华城厂举行3nm芯片出货仪式

7月25日上午，三星电子在韩国京畿道华城厂举行3nm芯片出货仪式。韩国产业通商资源部长、三星电子DS部门负责人Kye Hyun Kyung、高管和员工、供应商和无晶圆厂高管等约100人参加了此次活动。

据韩联社报道，Kye Hyun Kyung在致辞中表示，三星电子凭借此次量产在代工业务上取得了成功。GAA技术的早期开发成功，将成为FinFET晶体管达到技术极限时的新替代品。

据悉，三星电子3nm芯片采用GAA晶体管结构，与5nm芯片相比，3nm芯片可降低多达45%的功耗，同时提升23%的性能和减少16%的尺寸。

（来源：集微网/JSSIA整理）

4.英特尔和联发科宣布建立策略合作伙伴关系

7月25日，英特尔和联发科宣布建立策略合作伙伴关系，双方利用英特尔晶圆代工服务（Intel Foundry Services，IFS）的先进制程制造芯片。

据报道，联发科计划使用英特尔的制程技术，为一系列智能终端产品制造多种芯片。以经过生产验证的3D FinFET晶体管再到次世代技术突破的路线图为基础，IFS提供一个广泛的制造平台，其技术针对高效能、低功耗和持续连网等特性进行了*佳化。

英特尔没有提供交易的任何财务细节，也没有透露它将为联发科生产多少芯片，但它表示首批产品将在未来18到24个月内生产，并将采用更成熟的技术称为Intel 16的工艺，其芯片用于智能设备。

英特尔此前宣布，其代工业务已与高通公司和亚马逊公司签署协议。

英特尔代工服务（IFS）于2021年3月对外宣布，IFS与其他代工产品有所区别，它将结合先进的工艺技术和封装，面向美国和欧洲交付承诺的产能，并支持x86内核、ARM和RISC－V生态系统IP的生产。

（来源：JSSIA整理）

5.美光宣布232层TLC NAND芯片出货

7月26日，美光宣布全球**232层TLC NAND开始出货。

与前几代美光NAND相比，本次发布的232层TLC NAND具有目前业界*高的面密度，并提供更高的容量和更高的能效，可在单个NAND芯片封装中实现高达2TB的存储。美光已经在未指定的零售Crucial英睿达SSD中提供这种闪存，并作为NAND组件向其他制造商提供。

官方表示，美光的232层NAND技术能实现2.4GB/S的I/O速度，比美光176层NAND快50%。另外，232层NAND能实现每平方毫米14.6Gb的TLC密度。该NAND封装后的尺寸为11.5毫米x13.5毫米，比美光前几代产品小28%。

该NAND现已在美光公司的新加坡工厂量产，*初将以组件形式通过Crucial英睿达SSD消费产品线向客户发货。

（来源：JSSIA整理）

6.安世半导体发布晶圆级12和30V MOSFET

7月27日，安世半导体官微发布消息称，公司推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N沟道小信号Trench MOSFET。

该产品采用超紧凑晶圆级DSN1006封装，具有**的RDS(on)特性，在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下，可使电力更为持久。

新型MOSFET应用于智能手机、智能手表、助听器和耳机等高度小型化电子产品，可*大限度降低能耗，提高负载开关和电池管理效率。

除了采用DSN1006封装的这两款MOSFET外，安世半导体还推出了一款采用DSN1010封装的12V N沟道Trench MOSFET PMCA14UN。PMCA14UN 在VGS= 4.5 V时的*大RDS(on)为16mΩ。

（来源：集微网/JSSIA整理）

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