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新闻|Weekly News

来源:本站   作者:letry    发布时间: 2022-08-05 14:42:50   浏览:

1.国博电子科创板上市

 

7月22日,国博电子在上海证券交易所科创板上市,发行价格70.88元/股,发行市盈率为80.78倍。

国博电子成立于2000年,主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售,产品主要包括有源相控阵T/R组件、砷化镓基站射频集成电路等,覆盖军用与民用领域。

根据公告,2018年至2021年6月30日,公司实现营收分别为17.24亿元、22.25亿元、22.12亿元、11.32亿元,归属于母公司所有者的净利润2.52亿元、3.67亿元、3.08亿元、1.93亿元。主营业务毛利率分别为29.12%、32.69%、29.77%、36.94%。

本次IPO,国博电子公开发行4001.00万股,募集资金283590.88万元,其中14.75亿元投入射频芯片和组件产业化项目,剩余12亿元用于补充流动资金。

来源:JSSIA整理)

 

 

2.大普微自研主控芯片企业级SSD规模出货

 

近期,国内头SSD存储厂商深圳大普微电子(DapuStor)PCIe Gen4企业级SSD产品获得北美知名国际互联网/云计算巨头和国内电信运营商、行业客户等为代表的批量订单。

大普微第一款自研的PCIe Gen4主控芯片在2020年下半年实现芯片一次流片成功,相应开发的固件与SSD产品也经过了一年多的各类客户严格测试与验证,并于2022年4月转入正式量产。

DPU600采用先进的12nm制程工艺,支持超高性能、大容量企业级SSD;支持PCIe Gen4双端口,拥有16个通道和支持标准的NVMe(NVM Express)接口,针对高性能4K随机读写操作以及所有on-chip闪存管理操作进行了优化。

基于自研主控芯片,大普微PCIe Gen4企业级SSD适用于云计算、运营商、互联网、金融、能源石化、电力、企业数据中心等高端数据存储场景。

深圳大普微电子科技有限公司成立于2016年,是国内一家SSD主控芯片设计和智能企业级SSD定制厂商。

来源:JSSIA整理)

 

 

3.三星电子在华城厂举行3nm芯片出货仪式

 

7月25日上午,三星电子在韩国京畿道华城厂举行3nm芯片出货仪式。韩国产业通商资源部长、三星电子DS部门负责人Kye Hyun Kyung、高管和员工、供应商和无晶圆厂高管等约100人参加了此次活动。

据韩联社报道,Kye Hyun Kyung在致辞中表示,三星电子凭借此次量产在代工业务上取得了成功。GAA技术的早期开发成功,将成为FinFET晶体管达到技术极限时的新替代品。

据悉,三星电子3nm芯片采用GAA晶体管结构,与5nm芯片相比,3nm芯片可降低多达45%的功耗,同时提升23%的性能和减少16%的尺寸。

(来源:集微网/JSSIA整理)

 

 

4.英特尔和联发科宣布建立策略合作伙伴关系

 

7月25日,英特尔和联发科宣布建立策略合作伙伴关系,双方利用英特尔晶圆代工服务(Intel Foundry Services,IFS)的先进制程制造芯片。

据报道,联发科计划使用英特尔的制程技术,为一系列智能终端产品制造多种芯片。以经过生产验证的3D FinFET晶体管再到次世代技术突破的路线图为基础,IFS提供一个广泛的制造平台,其技术针对高效能、低功耗和持续连网等特性进行了最佳化。

英特尔没有提供交易的任何财务细节,也没有透露它将为联发科生产多少芯片,但它表示首批产品将在未来18到24个月内生产,并将采用更成熟的技术称为Intel 16的工艺,其芯片用于智能设备。

英特尔此前宣布,其代工业务已与高通公司和亚马逊公司签署协议。

英特尔代工服务(IFS)于2021年3月对外宣布,IFS与其他代工产品有所区别,它将结合先进的工艺技术和封装,面向美国和欧洲交付承诺的产能,并支持x86内核、ARM和RISC-V生态系统IP的生产。

来源:JSSIA整理)

 

 

5.美光宣布232层TLC NAND芯片出货

 

7月26日,美光宣布全球首款232层TLC NAND开始出货。

与前几代美光NAND相比,本次发布的232层TLC NAND具有目前业界最高的面密度,并提供更高的容量和更高的能效,可在单个NAND芯片封装中实现高达2TB的存储。美光已经在未指定的零售Crucial英睿达SSD中提供这种闪存,并作为NAND组件向其他制造商提供。

官方表示,美光的232层NAND技术能实现2.4GB/S的I/O速度,比美光176层NAND快50%。另外,232层NAND能实现每平方毫米14.6Gb的TLC密度。该NAND封装后的尺寸为11.5毫米x13.5毫米,比美光前几代产品小28%。

NAND现已在美光公司的新加坡工厂量产,最初将以组件形式通过Crucial英睿达SSD消费产品线向客户发货。

来源:JSSIA整理)

 

 

6.安世半导体发布晶圆级12和30V MOSFET

 

7月27日,安世半导体官微发布消息称,公司推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N沟道小信号Trench MOSFET。

该产品采用超紧凑晶圆级DSN1006封装,具有优秀的RDS(on)特性,在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下,可使电力更为持久。

新型MOSFET应用于智能手机、智能手表、助听器和耳机等高度小型化电子产品,可最大限度降低能耗,提高负载开关和电池管理效率。

除了采用DSN1006封装的这两款MOSFET外,安世半导体还推出了一款采用DSN1010封装的12V N沟道Trench MOSFET PMCA14UN。PMCA14UN 在VGS= 4.5 V时的最大RDS(on)为16mΩ。

(来源:集微网/JSSIA整理)




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