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新闻动态

新闻|Weekly News

来源:本站   作者:letry    发布时间: 2022-05-20 11:33:18   浏览:

1.联发科发布AIoT平台Genio 1200

 

5月11日,联发科宣布推出Genio智能物联网AIoT平台新品Genio 1200。该款产品采用台积电6nm制程,集成高性能八核CPU、五核GPU、双核AI处理器APU和先进的多媒体引擎,支持新的多媒体标准和4K显示,主要用于智能家居、工业物联网应用和AI嵌入式设备。

MediaTek Genio平台是具备灵活性、可扩展性的解决方案,客户可以根据不同产品需求匹配芯片,并使用MediaTek开发者资源和开放平台SDK进行定制设计。

据了解,Genio 1200适用于高端智能物联网AIoT应用,具备高集成度和可扩展性,支持多种高速接口,如:PCI-Express、USB 3.1和GbE MAC,支持MediaTek Wi-Fi 6E和Sub-6 5G模块。

(来源:集微网)

 

 

2.芯华章发布数字验证调试系统

 

2022年5月11日,芯华章正式发布基于创新架构的数字验证调试系统——昭晓Fusion DebugTM。

据介绍,昭晓Fusion DebugTM采用完全自研的高性能数字波形格式XEDB。该波形格式借助创新的数据格式和架构提供的高效编码和压缩方案,在实际测试中可以带来比国际主流数字波形格式超8倍的压缩率。与其它商业波形格式相比,XEDB的读写速度快至3倍,并支持分布式架构,可充分利用多台机器的物理资源来提升整体系统的性能,实测中表现出的波形写入速度可以比单机模式提高5倍以上。

在提供完整调试解决方案的同时,昭晓Fusion DebugTM能够支持统一且高性能的编译,快速加载仿真结果和信号显示,轻松进行信号连接跟踪和根本原因分析。根据实际项目数据显示,在完整的设计及原理图模块化加载中,昭晓Fusion DebugTM的速度比其他商用EDA工具快至5倍,能满足大规模SoC设计调试的需求,并大大提高了验证效率,从而加速芯片设计创新。

(来源:芯思想/JSSIA整理)

 

 

3.SK海力士在大连建设新的存储晶圆厂

 

SK海力士非易失性存储器制造项目16日在辽宁大连开工,该项目将建设一座新的晶圆工厂,生产非易失性存储器3D NAND芯片产品。

2020年,总部位于韩国的半导体企业SK海力士宣布收购英特尔NAND闪存及存储业务,其中包括英特尔大连工厂。2021年底,SK海力士完成了收购英特尔NAND闪存及SSD业务案的第一阶段,从英特尔手中接管了SSD业务及其位于大连的NAND闪存制造厂的资产。

为加快推动项目发展,SK海力士决定在大连继续扩大投资并建设新工厂,该项目位于大连金普新区,将建设一座新的晶圆工厂用于生产非易失性存储器3D NAND芯片产品。

SK海力士半导体(中国)总裁郑银泰表示,SK海力士将中国视为重要的合作伙伴,并始终保持着同中国的友好合作关系。在大连新建NAND闪存工厂的同时,SK海力士还通过追加投资对无锡、重庆工厂进行了产能扩充,并重点推进了8英寸晶圆代工合资厂、产业园、学校、医院等多个不同领域的在华项目。

(来源:中国新闻网)

 

 

4.华虹半导体科创板上市获董事会批准

 

5月13日,华虹半导体披露,公司拟发行不超过约4.34亿新股计划并计划赴上交所科创板上市。

根据华虹半导体的公告,2022年5月12日董事会已批准建议人民币股份发行、特别授权及相关事宜(包括建议修订章程细则),但仍需等待股东特别大会上批准以及取得必要监管批准。

华虹半导体将发行的人民币股份数目不超过约4.34亿新股,即不超过人民币股份发行完成后公司经扩大股本的25%,其中人民币股份发行仅以发行新股的方式进行。

对于所筹集的资金用途,其中70%(125亿人民币) 投资于华虹制造无锡项目;11%(20亿)用于8英寸晶圆厂房优化升级项目;12%(25亿元)用于工艺技术创新研发项目;6%(10亿元)用于补充营运资金。

华虹半导体董事会表示,人民币股份发行将使该公司能通过股本融资进入中国资本市场,从而拓宽公司的筹资渠道及股东基础,并改善公司的资本结构,此外,这也能够进一步加强本集团的财务状况,以满足一般企业用途及营运资金需求。

来源:JSSIA整理)

 

 

5.恩智浦半导体拟26亿美元在美国德州扩建芯片厂

 

日前,恩智浦半导体与德州奥斯汀独立学区(Austin Independent School District)董事会成员举行会议,讨论透过斥资26亿美元扩建芯片厂与增加800个就业职缺,以换取减税措施。

奥斯汀独立学区发言人Jason Stanford称,将在两周内表决恩智浦是否能继续申请减税,即313章协议。

恩智浦发言人Jacey Zuniga则表示,公司也在考虑其他城市作为扩厂选址,预估在今年第四季最初最终决定并于2024年开始动工建设。

据悉,恩智浦为汽车、电话与工业设备制造芯片,该公司在美国已有4座晶圆厂,其中两座位于奥斯汀。

(来源:SEMI)

 

 

6.美光宣布推出232层3D NAND Flash

 

5月12日,美光宣布推出具有232层的3D NAND存储器。该公司计划将其新的232层3D NAND产品用于包括固态驱动器在内的各种产品,并计划有时在2022年末开始增加此类芯片的生产。

美光的232层3D NAND设备采用3D TLC架构,原始容量为1Tb。该芯片基于美光的CMOS阵列下(CuA)架构,并使用NAND串堆叠技术在彼此之上构建两个3D NAND阵列。

美光没有公布其新型232L 3D TLC NANDIC的I/O速度或平面数量,但暗示新内存将提供比现有3D NAND设备更高的性能,这对于下一代SSD尤其有用具有PCIe5.0接口的SSD特别有用。

(来源:EETOP/JSSIA整理)





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