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新闻动态

新闻|Weekly News

来源:网络   作者:letry    发布时间: 2022-01-21 14:36:12   浏览:

1.中科蓝讯科创板IPO过会


1月13日,上交所科创板上市委审议会议结果显示,深圳市中科蓝讯科技股份有限公司(以下简称:中科蓝讯)科创板IPO过会。

据了解,中科蓝讯成立于2016年,主营业务为无线音频SoC芯片的研发、设计与销售,主要产品包括真无线蓝牙耳机(TWS)芯片、非TWS蓝牙耳机芯片、蓝牙音箱芯片等。

据招股书显示,报告期内(2018年至2020年),中科蓝讯分别实现营业收入8442.43万元、6.46亿元以及9.27亿元,2021年上半年,中科蓝讯创下了5.97亿元的营业收入,营收年均复合增长率超过200%;报告期(2018-2020年及2021年上半年)内,中科蓝讯归属于母公司所有者的净利润分别为72.01万元、1.49亿元、2.15亿元、1.41亿元。

本次IPO,中科蓝讯拟募集15.96亿元,用于智能蓝牙音频芯片升级项目、物联网芯片产品研发及产业化项目、Wi-Fi蓝牙一体化芯片研发及产业化项目、中科蓝讯研发中心建设项目、发展与科技储备基金。

(来源:JSSIA整理)



2.泰矽微完成A+轮融资


近日,MCU芯片厂商上海泰矽微电子有限公司(以下简称“泰矽微”)宣布完成近3亿人民币A+轮融资。本轮融资由半导体产业基金武岳峰领投,半导体产业资本冯源基金和汽车产业资本芯域行跟投,老股东海松资本继续追加投资。泰矽微的本轮融资为其规划中的MCU全面布局提供了充裕的资金。

泰矽微的本轮融资将主要用于更多系列化MCU的产品开发和布局,沿着高性能专用和特色MCU方向继续加大投入,挖掘有价值的产品与市场,重点打造高可靠性的工规和车规产品线。

(来源:JSSIA整理)



3.灿瑞科技科创版IPO获受理


芯片厂商上海灿瑞科技股份有限公司(下称“灿瑞科技”)科创板IPO申报材料近日获得了上交所受理。

灿瑞科技是一家从事高性能数模混合集成电路及模拟集成电路研发设计、封装测试和销售的芯片厂商,采用“Fabless+封装测试”的经营模式。公司主要产品及服务包括智能传感器芯片、电源管理芯片及封装测试服务,截至2021年6月末,三块业务营收占比分别为41.25%、47.27%、7.89%。

灿瑞科技科近三年营收分别为1.17亿元、1.99亿元、2.9亿元,年均复合增速达57.29%。2019年净利润扭亏为盈至2285万。

本次IPO,灿瑞科技拟合计募资15.5亿元。其中,高性能传感器研发及产业化项目3.64亿元、电源管理芯片研发及产业化项目2.22亿元、专用集成电路封装建设项目2.9亿元、研发中心建设项目2.25亿元、补充流动资金4.5亿元。

(来源:JSSIA整理)



4.滁州华瑞微IDM项目竣工投产


近日,滁州华瑞微电子科技有限公司半导体IDM项目竣工投产。

据了解,该项目首期项目已购置300台套进口光刻机、离子注入机、等离子刻蚀机等设备,近日已进入试产阶段,主要生产6英寸晶圆。

2020年8月,华瑞微与南谯经济开发区管委会签订投资合作协议,共建产业园。一期投资10亿元,占地100亩,建筑面积约8万平方米。一期达产后,可年产6英寸晶圆72万片,预计年销售收入10亿元,纳税5000万元。二期用地200亩,计划投资20亿元,全部达产后,年销售额预计30亿元,税收2亿元。

资料显示,华瑞微创建于2018年5月,是一家集功率器件产品研发、生产、销售和服务于一体的企业,已经研发成功且量产的产品包括高压VDMOS、低压Trench MOS、超结MOS和SGT MOS,同时正在开展第三代半导体(SiC、GaN)功率器件的研发工作。

(来源:微电子制造/JSSIA整理)



5.中国首条12英寸MEMS制造线项目签约合肥高新区


近日,北京赛微电子股份有限公司与合肥高新区管委会签署《合作框架协议》,涉及对12英寸MEMS制造线项目的建设投资,这将有助于推动公司特色工艺晶圆代工业务的发展,但这条12英寸MEMS制造线的建设需要通过国家相关部委的审批同意。

根据《合作框架协议》签署内容,赛微电子拟在合肥高新区投资建设12英寸MEMS制造线项目,总投资51亿元人民币,拟建设一座设计产能为2万片/月的12英寸MEMS产线,预计满产后可实现年收入约30亿元。合肥高新区除自身支持外,积极协助赛微电子申报国家和安徽省项目,取得更高层面支持,帮助赛微电子在全国半导体市场影响力不断扩大。

据披露,赛微电子合肥项目公司注册资本拟设定为40亿元,计划赛微电子出资约14.4亿元,占股约36%、合肥高新区管委会联合市区下属国资平台出资约10亿元,占股约24%、项目核心团队出资约4亿元,持股约10%、其他社会资本出资约12亿元,占股合计约30%。

(来源:协会秘书处)



6.国家第三代半导体技术创新中心研发与产业化基地开工


1月4日,国家第三代半导体技术创新中心研发与产业化基地开工建设。项目总投资超18亿元,带动投资预计超50亿元,计划2023年12月底竣工。

据悉,国家第三代半导体技术创新中心研发与产业化基地项目位于苏州纳米城,首期占地105亩,总建筑面积超20万平方米。该基地由苏州纳米科技发展有限公司建设,首期包括国家第三代半导体技术创新中心,及东微半导体总部、汉天下研发中心和镭明激光研发中心总部等部分定建企业,将布局建设支撑第三代半导体创新发展的3万平方米高标准洁净厂房和化学品库、废水处理站、110千伏电站等配套设施,以及8英寸BAW(体声波)滤波器及射频模组生产线,半导体高端激光研究中心,晶圆与器件性能测试研发工程中心等。

苏州工业园区消息称,项目建成后将加速推动第三代半导体材料、设备,及研发、设计、中试、量产、封装测试等创新链企业集聚发展,辐射集聚50到100家企业,有力支撑第三代半导体关键技术攻关和科技成果转化。

(来源:集微网)





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